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고체전자공학, 반도체공학 3-3 Energy Bands and Charge Carriers in Semiconductor (Calculation of n and p)

 고체전자공학, 반도체공학 3-3 Energy Bands and Charge Carriers in Semiconductor (Calculation of n and p)

안녕하세요! 노먼입니다.

이번에는 고체전자공학 3단원에서 계산하는 파트이자 정말 중요한 부분에 대해서 살펴볼 예정입니다. 정~~말중요한 내용입니다.

오늘 살펴볼 내용의 제목은 Calculation of n and p 입니다. Fig 1. n-type인지 p-type인지에 따라 fermi level의 위치가 바뀝니다!

매우 중요합니다. 자, 우리는 저번 포스팅인 3-2 Electrons and Holes 에서 fermi level에 대해서 살펴보았습니다.

Fig 1 에 있는 Intrinsic 반도체는 항상 n0=p0 입니다. 여기서 n0, p0의 의미는 다음과 같습니다. n0 = conduction band 에 존재하는 전자의 부피당 농도 cm^(-3) p0 = valence band 에 존재하는 hole의 부피당 농도 cm^(-3) 자, 여기서 돌발퀴즈를 드리겠습니다.

Q. Intrinsic semiconductor 에서 Ef에 존재하는 전자의 수는 몇 개 일까요?

-> 정답은 0 ...

# calculationofnandp # Density # Densityofstate # DOS # of # state # 고체전자공학 # 반도체공학