EUV(Extreme Ultraviolet) 리소그래피는 7nm 이하 노드 이후의 미세 패터닝을 실현하기 위한 핵심 기술로 자리잡았다. 그러나 EUV의 성공적인 적용을 가로막는 대표적 병목은 레지스트(Resist)의 Sensitivity와 Resolution 사이의 불가피한 Trade-off다.
노광 에너지를 낮추면 감도가 올라가 throughput이 향상되지만 패턴 품질(LWR/LER)이 나빠지고, 반대로 해상도를 높이면 더 높은 노광 에너지가 필요해 생산성이 급격히 저하된다. 레지스트(Resist)의 Sensitivity와 Resolution 사이의 불가피한 Trade-off 따라서 Fab 엔지니어와 PR 개발자에게 가장 중요한 질문은 다음과 같다.
“EUV 레지스트에서 Sensitivity–Resolution Trade-off의 최적 균형점(Sweet Spot)은 어디인가?” EUV Resist Sensitivity와 Resolution 기본 개념 Sensitivity(감도) ...
