최근 반도체 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스 간의 경쟁이 치열해지고 있습니다. 특히 D램 양산 기술의 발전 속도와 기술 격차가 중요한 이슈로 떠오르고 있는데요, 두 기업의 D램 생산 타임라인과 최근 발표된 기술 관련 소식을 중심으로 포스팅을 작성해보았습니다.
삼성과 하이닉스, D램 양산 기술의 타임라인 비교 삼성전자와 SK하이닉스는 D램 시장에서 오랜 경쟁 관계를 유지하고 있습니다. 첨부된 자료를 보면, 양사는 2009년부터 40나노급 D램을 양산하기 시작했으며, 그 이후로 꾸준히 공정 미세화에 도전해왔습니다.
그러나 최근 하이닉스가 10나노급 5세대(1b) D램을 2023년 양산에 성공하면서, 삼성과의 기술 격차가 더 벌어지고 있다는 평가가 나오고 있습니다. 삼성은 1a 공정에서의 재설계를 고심 중이며, 이에 대한 전략적 방향성 설정이 중요해졌습니다.
삼성이 직면한 문제와 HBM 경쟁력 회복의 과제 삼성전자는 최근 1a D램의 재설계를 논의하고 있다는 소식이 전해졌습니다. 이는...
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원문 링크 : 삼성 하이닉스 D램 경쟁, 기술 격차와 미래 전략 차이
