plasma CVM(P-CVM, Chemical vaporization machining)

Y Mori(1993)에서 Plasma CVM에 대한 cuutting과 polishing을 진행하였다. Figure 1에 따르면, 가로축은 Surface roughness 세로축은 removal rate를 의미하고plasma CVM의 surface roughness는 대략 100nm 수준임을 볼 수 있다.

EEM(elastic emission machining)방식이 제일 좋은 smoothness를 띄지만 EEM을 하기 위해 그 전 단계를 매끈하게 잘 처리를 해주어야 더욱 효과적이다. Plasma CVM은 plasma etching과 chemical etching을 합한 개념으로 RF plasma 에서 reactive radical 분자는 excited되며, 대략 1*105 Pa(=1atm) 수준에서 radical 분자가 atom과 반응하여 함께 증기로 날아가는 방식이다.

하지만 플라즈마가 높은 압력에서 생성되다보니 반응성 래디칼들은 높은 밀도를 지니고, 즉 small mean fr...