서론 원자층 식각(Atomic Layer Etching, ALE) 기술은 현대 나노기술 및 반도체 산업에서 혁신적인 재료 가공 방법으로 자리 잡고 있다. 이 기술은 물질의 표면을 원자 단위로 정밀하게 제어하여 제거할 수 있는 고도의 선택적 가공 방법으로, 미래 전자소자 및 나노구조체 개발에 핵심적인 역할을 수행한다.
특히 코발트 (II, III) 산화물은 전자기, 촉매, 에너지 저장 분야에서 중요한 전략적 소재로 주목받고 있다. 그러나 이러한 산화물의 정밀한 구조 제어와 표면 가공은 기존 방법으로는 매우 어려운 과제였다.
본 연구에서는 갈로겐화 아세틸아세톤을 활용한 혁신적인 원자층 식각 접근법을 제시하여 이러한 기술적 한계를 극복하고자 한다. 갈로겐화 아세틸아세톤 기반 식각 방법은 기존 기술 대비 several 중요한 장점을 제공한다.
첫째, 높은 선택성과 정밀도를 통해 나노구조체의 정교한 표면 가공이 가능하다. 둘째, 화학적 반응의 열역학적 제어를 통해 보다 안정적이고 예측 가능한...
